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HT66F317/HT66F318
HT66F317/HT66F318
主要參數

該系列單片機是8 位高性能精簡(jiǎn)指令集的Flash 型單片機,具有一系列功能和 特性,其Flash 存儲器可多次編程的特性給用戶(hù)提供了較大的方便。存儲器方 面,還包含了一個(gè)RAM 數據存儲器和一個(gè)可用于存儲序列號、校準數據等非 易失性數據的EEPROM 存儲器。

在模擬特性方面,該系列單片機包含一個(gè)多通道12 位A/D 轉換器和比較器功 能。還帶有多個(gè)使用靈活的定時(shí)器模塊,可提供定時(shí)功能、脈沖產(chǎn)生功能及 PWM 產(chǎn)生等功能。內內建完整的UART 和I2C 接口,為設計者提供了一個(gè)易 于外部硬件通信的接口。部看門(mén)狗定時(shí)器、低電壓復位和低電壓檢測等內部保 護特性,外加優(yōu)秀的抗干擾和ESD 保護性能,確保單片機在惡劣的電磁干擾環(huán) 境下可靠地運行。

該系列單片機提供了豐富的HXT、LXT、HIRC 和LIRC 振蕩器功能選項,且 內建完整的系統振蕩器,無(wú)需外接元件。其在不同工作模式之間動(dòng)態(tài)切換的能 力,為用戶(hù)提供了一個(gè)優(yōu)化單片機操作和減少功耗的手段。

外加時(shí)基功能、I/O 使用靈活等其它特性,使這款單片機可以廣泛應用于各種 產(chǎn)品中,例如電子測量?jì)x器、環(huán)境監控、手持式測量工具、家庭應用、電子控 制工具、馬達控制等方面。


CPU 特性

  • 工作電壓:
    -- fSYS=4MHz:1.8V~5.5V
    -- fSYS=8MHz:2.0V~5.5V
    -- fSYS=12MHz:2.7V~5.5V
    -- fSYS=16MHz:3.3V~5.5V
    VDD=5V,系統時(shí)鐘為16MHz 時(shí),指令周期為0.25μs
  • 提供暫停和喚醒功能,以降低功耗
  • 四種振蕩器類(lèi)型:
    -- 外部晶振 – HXT
    -- 外部32.768kHz 晶振 – LXT
    -- 內部RC – HIRC
    -- 內部32kHz RC – LIRC
  • 多種工作模式:正常、低速、空閑和休眠
  • 內部集成4/8/12MHz 振蕩器,無(wú)需外接元件
  • 所有指令都可在1 或2 個(gè)指令周期內完成
  • 查表指令
  • 63 條指令
  • 8 層堆棧
  • 位操作指令

周邊特性

  • Flash 程序存儲:2K×16~4K×16
  • RAM 數據存儲:128×8~192×8
  • EEPROM 存儲器:64×8
  • 看門(mén)狗定時(shí)器功能
  • 多達26 個(gè)雙向I/O 口
  • 4 個(gè)軟件控制SCOM 口1/2 bias LCD 驅動(dòng)
  • 源電流可選
  • 2 個(gè)引腳與外部中斷口共用
  • 多個(gè)定時(shí)器模塊用于時(shí)間測量、捕捉輸入、比較匹配輸出、PWM 輸出及單脈
    沖輸出
  • 比較器功能— 僅適用于 HT66F318
  • UART 和I2C 接口— 僅適用于 HT66F318
  • 雙時(shí)基功能可提供固定時(shí)間的中斷信號
  • 8 通道12-bit 的A/D 轉換器
  • 低電壓復位功能
  • 低電壓檢測功能
  • Flash 程序存儲器燒錄可達10,000 次
  • Flash 程序存儲器數據可保存10 年以上
  • EEPROM 數據存儲器燒錄可達100,000 次
  • EEPROM 數據存儲器數據可保存10 年以上
  • 多種封裝類(lèi)型